GaN Systems和安森美共同发布半桥评估板

GaN Systems和安森美半导体宣布,采用GaN Systems的650 V,30 A GaN E-HEMT和安森美半导体的NCP51820高速栅极驱动器,共同组成了一套高速半桥GaN系统评估板。该套件采用25mm x 25mm的布局,减少了元件数量。

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GaN Systems和安森美半导体宣布,采用GaN Systems的650 V,30 A GaN E-HEMT和安森美半导体的NCP51820高速栅极驱动器,共同组成了一套高速半桥GaN系统评估板。该套件采用25mm x 25mm的布局,减少了元件数量。 其特性包括1+ MHz工作频率和200 V / ns CMTI额定值。基于GaN的电源系统的优势包括功率损耗,重量,尺寸(最多80%)和系统成本(最多可节省60%BOM成本)的显着降低。

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